| ประเภท | คำอธิบาย |
|---|---|
| หมวดหมู่ | RF FETs, MOSFET |
| ผู้ผลิต | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| ซีรีส์ | AlphaMOS |
| cms-part-status | Obsolete |
| บรรจุภัณฑ์ | เทปและม้วน(TR) |
| บรรจุภัณฑ์ / เคส | 6-XDFN |
| ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 2.4W |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | 6-DFN (2.7x1.8) |
| คุณลักษณะ | คำอธิบาย |
|---|---|
| สถานะ RoHS | ROHS3 Compliant |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Reach unaffected |
| รหัส ECCN | EAR99 |
| รหัส HTSUS | 8541.29.0095 |
